IT之家 12 月 9 日音问，韩媒 SEDaily 当地时分本月 6 日征引音问东说念主士的话称白虎 意思，三星电子此前已在旗下研发机构完成了 4XX 层第 10 代 3D V-NAND 闪存的开辟，并从上月运行将该工夫升沉至位于平泽 1 号工场的量产线上。

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参考IT之家此前报说念，三星电子代表将在 2025 IEEE ISSCC 国外固态电路会议上先容 4XX 层 1Tb TLC NAND。该家具领受晶圆键合工夫，存储密度达 28 Gb/mm2，I/O 引脚速度达 5.6Gb/s。

韩媒以为三星 V10 NAND 将领受三堆栈结构。据悉该闪存在开辟阶段的良率为 10%~20%，而量产的门槛是 60%。三星电子正奋发在量产线上进步第 10 代 V-NAND 良率，若是情况顺利将于 2025 下半年取得 PRA 量产就绪许可，最快来岁二季度末就可能插足量产阶段。

字据 TrendForce 集邦询查数据，三星电子在 2024 年三季度不竭蝉联第一大 NAND 闪存原厂。而除积极研发外该企业还在通过彭胀先进产能以进一步巩固卓著地位：三星计算来岁在平泽 P4 新增每月 3~4 万片晶圆的 V9 NAND 产能；中国西安工场的制程升级责任也在股东。

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